NANDフラッシュメモリー、3D「64層」の対決へ。東芝はサムスンに追いつけるか ニュースイッチ by 日刊工業新聞社

 東芝は27日、単位面積当たりの容量を従来の1・4倍に高めた3次元(3D)構造NAND型フラッシュメモリー(写真)を開発したと発表した。記憶素子の積層数は64で、容量は32ギガバイト(ギガは10億)。...